High-density 3D-stacked memory technology
W: Matériel informatique – Logiciels – Cybersécurité – Blockchain – Internet des objets (IoT)
Informations
- Numéro de stand
- J11
- Classe d'exposition
- W: Matériel informatique – Logiciels – Cybersécurité – Blockchain – Internet des objets (IoT)
- Description technique
- L'architecture 1S1C permet de relever les défis de l'empilement 3D des mémoires DRAM, en nécessitant un minimum d'étapes de photolithographie et permettant plus de 1000 couches. Transforme l'électronique grand public et accélère le déploiement de systèmes d'intelligence artificielle tels que le GPT.
- Description simplifiée
- Une technologie de mémoire, appelée 1S1C, pourrait changer la donne en électronique. Elle permet de superposer plus de 1 000 couches de puces mémoire DRAM. Cela utilise moins d'étapes de fabrication compliquées. Grâce à cette avancée, les appareils électroniques pourraient devenir encore plus puissants, et le développement de systèmes d'intelligence artificielle, comme GPT, pourrait être plus rapide.
Inventeur·rices
Huazhong University of Science and Technology
inventor 3701633892_4202
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