The invention
P-gan high electron mobility transistor (hemt) using MoS₂-based 2D barrier
C: Electronique – Electricité – Moyens de communication – Réseau électrique
Informations
- Numéro de stand
- K95
- Classe d'exposition
- C: Electronique – Electricité – Moyens de communication – Réseau électrique
- Description technique
- Un THME p-GaN avec une barrière 2D MoS₂ améliore la mobilité électronique et l’ingénierie des contraintes. Il fonctionne jusqu’à 82V (grille) et 131V (drain), délivre 7,3W à V_DS = 8V, présente I_ON/I_OFF~10⁶, R_ON/R_OFF~10⁻⁶ avec un seuil de 0,85V.
- Description simplifiée
- Un dispositif électronique utilise un matériau spécial pour améliorer le mouvement des électrons et résister aux contraintes. Il fonctionne efficacement à des niveaux de tension élevés. Il peut produire une puissance de 7,3 watts à une tension spécifique et montre de bonnes performances de mise en marche et arrêt.
Inventeur·rices
GAURAV JAYASWAL
inventor 3701343409_3780
ARIHANT SIDDARTH
inventor 3701343409_3779
GHADA KHOUQEER
inventor 3701343409_3778
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