Informations

Numéro de stand

K95

Classe d'exposition

C: Electronique – Electricité – Moyens de communication – Réseau électrique

Description technique

Un THME p-GaN avec une barrière 2D MoS₂ améliore la mobilité électronique et l’ingénierie des contraintes. Il fonctionne jusqu’à 82V (grille) et 131V (drain), délivre 7,3W à V_DS = 8V, présente I_ON/I_OFF~10⁶, R_ON/R_OFF~10⁻⁶ avec un seuil de 0,85V.

Description simplifiée

Un dispositif électronique utilise un matériau spécial pour améliorer le mouvement des électrons et résister aux contraintes. Il fonctionne efficacement à des niveaux de tension élevés. Il peut produire une puissance de 7,3 watts à une tension spécifique et montre de bonnes performances de mise en marche et arrêt.